Número de Producto del Fabricante:
FDD6680AS
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDD6680AS-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 55A (Ta) 60W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
9341 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946515
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ENVIAR
FDD6680AS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
55A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
528
Otros nombres
2156-FDD6680AS
ONSONSFDD6680AS
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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