FDMC8327L
Número de Producto del Fabricante:

FDMC8327L

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDMC8327L-DG

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 12A (Ta), 14A (Tc) 2.3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Inventario:

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FDMC8327L Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta), 14A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.7mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1850 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.3W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-MLP (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
603
Otros nombres
2156-FDMC8327L
ONSFSCFDMC8327L

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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