Número de Producto del Fabricante:
FDME820NZT
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDME820NZT-DG
Descripción:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
Inventario:
9500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947551
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ENVIAR
FDME820NZT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
865 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
MicroFet 1.6x1.6 Thin
Paquete / Caja
6-PowerUFDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
760
Otros nombres
FAIFSCFDME820NZT
2156-FDME820NZT
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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