Número de Producto del Fabricante:
FDMS0312S
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDMS0312S-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
3234 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947220
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDMS0312S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Ta), 42A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2820 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,229
Otros nombres
FAIFSCFDMS0312S
2156-FDMS0312S
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
BTS114AE3045ANTMA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDB8444
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
FDP10N60NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1