Número de Producto del Fabricante:
FDMS3669S
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDMS3669S-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/24A 8PQFN
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc) 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
1778 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946399
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ENVIAR
FDMS3669S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24nC @ 10V, 34nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V
Potencia - Máx.
1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Número de producto base
FDMS3669
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
352
Otros nombres
ONSFSCFDMS3669S
2156-FDMS3669S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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