FDP8030L
Número de Producto del Fabricante:

FDP8030L

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDP8030L-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 80A (Ta) 187W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

6859 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946418
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FDP8030L Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
170 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10500 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
187W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDP8030L Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
59
Otros nombres
FAIFSCFDP8030L
2156-FDP8030L

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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