Número de Producto del Fabricante:
FDS6670A
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDS6670A-DG
Descripción:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
2525 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978130
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDS6670A Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2220 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
779
Otros nombres
ONSFSCFDS6670A
2156-FDS6670AND
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
CP802-CWDM3011P-WN
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
IPP65R050CFD7AAKSA1
MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3
BUK7611-55A,118
NOW NEXPERIA BUK7611-55A - 75A,
