FDS6689S
Número de Producto del Fabricante:

FDS6689S

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDS6689S-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

1941 Pcs Nuevos Originales En Stock
12816892
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDS6689S Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3290 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
296
Otros nombres
2156-FDS6689S-FSTR-DG
FAIFSCFDS6689S
2156-FDS6689S

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

ECH8411-TL-E

MOSFET N-CH 20V 9A 8ECH

fairchild-semiconductor

FDP5690

MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3

fairchild-semiconductor

RFD4N06LSM9A

MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA

nxp-semiconductors

PMFPB8040XP,115

MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6