Número de Producto del Fabricante:
FDU8770
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDU8770-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 115W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
7050 Pcs Nuevos Originales En Stock
12904323
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
9Gg6
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDU8770 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3720 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
193
Otros nombres
FAIFSCFDU8770
2156-FDU8770-FS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
ZXM66P03N8TA
MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
IXFX32N80Q3
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
IXFN44N50U2
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
