Número de Producto del Fabricante:
FDZ209N
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDZ209N-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 12-BGA (2x2.5)
Inventario:
20644 Pcs Nuevos Originales En Stock
12903279
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ENVIAR
FDZ209N Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
80mOhm @ 4A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
657 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
12-BGA (2x2.5)
Paquete / Caja
12-WFBGA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
346
Otros nombres
FAIFSCFDZ209N
2156-FDZ209N-FSTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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