Número de Producto del Fabricante:
FDZ663P
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDZ663P-DG
Descripción:
FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.8x0.8)
Inventario:
60000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12996662
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ENVIAR
FDZ663P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
134mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
525 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-WLCSP (0.8x0.8)
Paquete / Caja
4-XFBGA, WLCSP
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,025
Otros nombres
2156-FDZ663P-600039
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Vendor Undefined
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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