Número de Producto del Fabricante:
FQD1N60CTM
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQD1N60CTM-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
1490 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946814
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQD1N60CTM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
170 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,110
Otros nombres
FAIFSCFQD1N60CTM
2156-FQD1N60CTM
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDD6688
MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
FDPF5N50NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
IRF3703PBF
IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
