FQI4N80TU
Número de Producto del Fabricante:

FQI4N80TU

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FQI4N80TU-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventario:

1550 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946768
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FQI4N80TU Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.95A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
880 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FQI4N80TU Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
287
Otros nombres
FAIFSCFQI4N80TU
2156-FQI4N80TU

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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