Número de Producto del Fabricante:
FQP4N20L
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQP4N20L-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 3.8A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
2000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946627
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ENVIAR
FQP4N20L Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.35Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
310 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
548
Otros nombres
FAIFSCFQP4N20L
2156-FQP4N20L
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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