FQPF5N50CYDTU
Número de Producto del Fabricante:

FQPF5N50CYDTU

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FQPF5N50CYDTU-DG

Descripción:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

Inventario:

34713 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946545
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FQPF5N50CYDTU Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
625 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
390
Otros nombres
FAIFSCFQPF5N50CYDTU
2156-FQPF5N50CYDTU

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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