Número de Producto del Fabricante:
FQPF8N80CYDTU
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQPF8N80CYDTU-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventario:
417 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946592
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ENVIAR
FQPF8N80CYDTU Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.55Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2050 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
59W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
249
Otros nombres
2156-FQPF8N80CYDTU
FAIFSCFQPF8N80CYDTU
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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