Número de Producto del Fabricante:
FQU5N40TU
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FQU5N40TU-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Descripción Detallada:
N-Channel 400 V 3.4A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
36535 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946830
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FQU5N40TU Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
QFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.6Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
460 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
535
Otros nombres
FAIFSCFQU5N40TU
2156-FQU5N40TU
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
