Número de Producto del Fabricante:
HUF76129S3S
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
HUF76129S3S-DG
Descripción:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 56A (Tc) 105W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
1850 Pcs Nuevos Originales En Stock
12933180
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ENVIAR
HUF76129S3S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
UltraFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
56A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
16mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
105W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
468
Otros nombres
FAIFSCHUF76129S3S
2156-HUF76129S3S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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