Número de Producto del Fabricante:
HUFA75309T3ST
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
HUFA75309T3ST-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Inventario:
34459 Pcs Nuevos Originales En Stock
12817419
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ENVIAR
HUFA75309T3ST Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
UltraFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
70mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
352 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
807
Otros nombres
2156-HUFA75309T3ST-FSTR
FAIFSCHUFA75309T3ST
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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