IRFI630BTU
Número de Producto del Fabricante:

IRFI630BTU

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

IRFI630BTU-DG

Descripción:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.13W (Ta), 72W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventario:

3453 Pcs Nuevos Originales En Stock
12934307
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IRFI630BTU Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
720 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.13W (Ta), 72W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
1,210
Otros nombres
2156-IRFI630BTU
FAIFSCIRFI630BTU

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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