Número de Producto del Fabricante:
IRLS620A
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
IRLS620A-DG
Descripción:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 4.1A (Tc) 26W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventario:
1494 Pcs Nuevos Originales En Stock
12932440
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ENVIAR
IRLS620A Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
800mOhm @ 2.05A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
430 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
26W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220F
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,494
Otros nombres
FAIFSCIRLS620A
2156-IRLS620A
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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