Número de Producto del Fabricante:
GPI65030DFN
Product Overview
Fabricante:
GaNPower
Número de pieza:
GPI65030DFN-DG
Descripción:
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 30A Surface Mount Die
Inventario:
100 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997226
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ENVIAR
GPI65030DFN Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
GaNPower
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 3.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.8 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
+7.5V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
241 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Paquete / Caja
Die
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
4025-GPI65030DFNTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Vendor Undefined
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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