Número de Producto del Fabricante:
G2R50MT33K
Product Overview
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Número de pieza:
G2R50MT33K-DG
Descripción:
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 3300 V 63A (Tc) 536W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
131 Pcs Nuevos Originales En Stock
12965214
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ENVIAR
G2R50MT33K Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
G2R™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
3300 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
63A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
50mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 10mA (Typ)
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
340 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7301 pF @ 1000 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
536W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
1242-G2R50MT33K
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506