Número de Producto del Fabricante:
G3R20MT17K
Product Overview
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Número de pieza:
G3R20MT17K-DG
Descripción:
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
Descripción Detallada:
N-Channel 1700 V 124A (Tc) 809W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
1320 Pcs Nuevos Originales En Stock
12945379
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ENVIAR
G3R20MT17K Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
G3R™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
124A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 75A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
2.7V @ 15mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
400 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10187 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
809W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
G3R20
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
1242-G3R20MT17K
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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