Número de Producto del Fabricante:
G3R75MT12K
Product Overview
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Número de pieza:
G3R75MT12K-DG
Descripción:
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 41A (Tc) 207W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
897 Pcs Nuevos Originales En Stock
12954420
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
G3R75MT12K Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
G3R™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
41A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
2.69V @ 7.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
54 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1560 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
207W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
G3R75
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
1242-G3R75MT12K
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
MCU80N03A-TP
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
UJ3C120070K3S
SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
IRF710PBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
