Número de Producto del Fabricante:
GCMX040B120S1-E1
Product Overview
Fabricante:
SemiQ
Número de pieza:
GCMX040B120S1-E1-DG
Descripción:
SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 57A (Tc) 242W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventario:
80 Pcs Nuevos Originales En Stock
13311494
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ENVIAR
GCMX040B120S1-E1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
SemiQ
Embalaje
Tube
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
57A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
52mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
121 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3185 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
242W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
GCMX040
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
10
Otros nombres
1560-GCMX040B120S1-E1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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