2301
Número de Producto del Fabricante:

2301

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

Número de pieza:

2301-DG

Descripción:

P20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<8
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 3A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount SOT-23

Inventario:

14119 Pcs Nuevos Originales En Stock
12972906
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2301 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
56mOhm @ 1.7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 2.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
405 pF @ 10 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
4822-2301TR
3141-2301DKR
3141-2301CT
3141-2301TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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