Número de Producto del Fabricante:
G085P02TS
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G085P02TS-DG
Descripción:
P-20V,-8.2A,RD(MAX)<[email protected],V
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 8.2A (Tc) 1.05W (Tc) Surface Mount 8-TSSOP
Inventario:
4990 Pcs Nuevos Originales En Stock
13002967
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ENVIAR
G085P02TS Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
900mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1255 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.05W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSSOP
Paquete / Caja
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
3141-G085P02TSTR
3141-G085P02TSDKR
3141-G085P02TSCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
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