Número de Producto del Fabricante:
G110N06K
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G110N06K-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 110A TO-252
Descripción Detallada:
N-Channel 110A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
50000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12999039
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
G110N06K Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.4mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
4822-G110N06KTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TSM60NB600CF
600V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER
G60N10T
N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
TSM60NC196CI
600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
