Número de Producto del Fabricante:
G15N10C
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G15N10C-DG
Descripción:
N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 22A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
743 Pcs Nuevos Originales En Stock
12985225
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ENVIAR
G15N10C Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
3141-G15N10CDKR
3141-G15N10CTR
4822-G15N10CTR
3141-G15N10CCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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