Número de Producto del Fabricante:
G2012
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G2012-DG
Descripción:
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<18
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 12A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventario:
2994 Pcs Nuevos Originales En Stock
13000377
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ENVIAR
G2012 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1255 pF @ 10 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-DFN (2x2)
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
3141-G2012DKR
4822-G2012TR
3141-G2012TR
3141-G2012CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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