Número de Producto del Fabricante:
G33N03D52
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G33N03D52-DG
Descripción:
N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount DFN5*6
Inventario:
4980 Pcs Nuevos Originales En Stock
12989592
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ENVIAR
G33N03D52 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
33A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
782 pF @ 15 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN5*6
Paquete / Caja
DFN5*6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
3141-G33N03D52TR
3141-G33N03D52DKR
4822-G33N03D52TR
3141-G33N03D52CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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