Número de Producto del Fabricante:
G66
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G66-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 16V 5.8A DFN2*2-6L
Descripción Detallada:
P-Channel 5.8A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventario:
13001951
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ENVIAR
G66 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
45mOhm @ 4.1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Vgs (máx.)
±8V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
1.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-DFN (2x2)
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
4822-G66TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
Certificación DIGI
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