Número de Producto del Fabricante:
G7K2N20LLE
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G7K2N20LLE-DG
Descripción:
N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 2A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L
Inventario:
2823 Pcs Nuevos Originales En Stock
13004186
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ENVIAR
G7K2N20LLE Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
700mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
577 pF @ 100 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-6L
Paquete / Caja
SOT-23-6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
3141-G7K2N20LLEDKR
4822-G7K2N20LLETR
3141-G7K2N20LLECT
3141-G7K2N20LLETR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
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