Número de Producto del Fabricante:
GC11N65K
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GC11N65K-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-252
Descripción Detallada:
N-Channel 11A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
12977630
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ENVIAR
GC11N65K Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
-
Serie
Cool MOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Vgs (máx.)
±30V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
179W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
4822-GC11N65KTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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