GT105N10K
Número de Producto del Fabricante:

GT105N10K

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

Número de pieza:

GT105N10K-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
Descripción Detallada:
N-Channel 60A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventario:

15000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12989263
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GT105N10K Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SGT
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
4822-GT105N10KTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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