GT1K2P15K
Número de Producto del Fabricante:

GT1K2P15K

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

Número de pieza:

GT1K2P15K-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 150V 27A TO-252
Descripción Detallada:
27A (Tc) Surface Mount TO-252

Inventario:

2500 Pcs Nuevos Originales En Stock
13259171
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

GT1K2P15K Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3275 pF @ 75 V
Función FET
Standard
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
3141-GT1K2P15KTR
3141-GT1K2P15KDKR
3141-GT1K2P15KCT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
Productos relacionados
transphorm

TP65H050G4YS

650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE

goford-semiconductor

GC030N65QF

MOSFET N-CH 650V 80A TO-247

goford-semiconductor

GC20N65QD

MOSFET N-CH 650V 20A TO-247

goford-semiconductor

GC280N65F

MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F