GT6K2P10KH
Número de Producto del Fabricante:

GT6K2P10KH

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

Número de pieza:

GT6K2P10KH-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Descripción Detallada:
P-Channel 4.3A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventario:

15000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978151
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GT6K2P10KH Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SGT
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
670mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
4822-GT6K2P10KHTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificación DIGI
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