Número de Producto del Fabricante:
AIMW120R045M1XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
AIMW120R045M1XKSA1-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventario:
239 Pcs Nuevos Originales En Stock
12948663
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ENVIAR
AIMW120R045M1XKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolSiC™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
52A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
5.7V @ 10mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+20V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2130 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
228W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
AIMW120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
SP002472666
448-AIMW120R045M1XKSA1
2156-AIMW120R045M1XKSA1-448
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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