AUIRFSL4010-306
Número de Producto del Fabricante:

AUIRFSL4010-306

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

AUIRFSL4010-306-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 180A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262

Inventario:

12944840
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

AUIRFSL4010-306 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.7mOhm @ 106A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9575 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-AUIRFSL4010-306
SP001521666

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
goford-semiconductor

G040P04T

MOSFET P-CH 40V 222A TO-220

goford-semiconductor

GT180P08T

MOSFET P-CH 80V 89A TO-220

diotec-semiconductor

DI030N03D1

MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C

diotec-semiconductor

MMFTN3018W

MOSFET, SOT-323, 60V, 0.1A, N, 0