Número de Producto del Fabricante:
AUXAKF1405ZS-7P
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
AUXAKF1405ZS-7P-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Inventario:
12798551
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ENVIAR
AUXAKF1405ZS-7P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5360 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK (7-Lead)
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
IRF1405ZS-7PPBF
IRF1405ZS-7PPBF-DG
SP001518940
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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