BSC016N06NSATMA1
Número de Producto del Fabricante:

BSC016N06NSATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

BSC016N06NSATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Inventario:

53786 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799758
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BSC016N06NSATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 95µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5200 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8 FL
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSC016

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
BSC016N06NSATMA1
Hoja de datos HTML
BSC016N06NSATMA1-DG

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSC016N06NSDKR
BSC016N06NSTR
BSC016N06NSCT-DG
BSC016N06NSTR-DG
SP000924882
BSC016N06NSDKR-DG
BSC016N06NS
BSC016N06NSATMA1DKR
BSC016N06NS-DG
BSC016N06NSATMA1TR
BSC016N06NSATMA1CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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