Número de Producto del Fabricante:
BSC028N06NSATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSC028N06NSATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventario:
30819 Pcs Nuevos Originales En Stock
12798668
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ENVIAR
BSC028N06NSATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
23A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-7
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSC028
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSC028N06NSDKR
BSC028N06NSCT-DG
BSC028N06NSTR-DG
BSC028N06NS-DG
BSC028N06NS
BSC028N06NSATMA1CT
BSC028N06NSDKR-DG
BSC028N06NSATMA1TR
BSC028N06NSATMA1DKR
BSC028N06NSTR
SP000917416
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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