Número de Producto del Fabricante:
BSC039N06NSATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSC039N06NSATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventario:
19874 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799340
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
LdJZ
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BSC039N06NSATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 36µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-6
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSC039
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSC039N06NSTR
BSC039N06NSCT-DG
BSC039N06NSDKR
BSC039N06NSATMA1DKR
BSC039N06NSATMA1CT
BSC039N06NSDKR-DG
BSC039N06NS-DG
BSC039N06NSATMA1TR
SP000985386
BSC039N06NSTR-DG
BSC039N06NS
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BSO4410
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO
BSC084P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
BSO4410T
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO
