Número de Producto del Fabricante:
BSC050NE2LSATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSC050NE2LSATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 39A (Ta), 58A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventario:
26172 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799260
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ENVIAR
BSC050NE2LSATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
39A (Ta), 58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
760 pF @ 12 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-5
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSC050
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSC050NE2LSATMA1CT
BSC050NE2LSDKR
BSC050NE2LSATMA1DKR
BSC050NE2LSCT
BSC050NE2LS-DG
SP000756340
BSC050NE2LS
BSC050NE2LSATMA1TR
BSC050NE2LSCT-DG
BSC050NE2LSDKR-DG
BSC050NE2LSTR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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