BSC0909NSATMA1

Número de Producto del Fabricante:

BSC0909NSATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

BSC0909NSATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON

Descripción Detallada:

N-Channel 34 V 12A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

Inventario:

12940 Pcs Nuevos Originales En Stock

12831583

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BSC0909NSATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

OptiMOS™

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

34 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

12A (Ta), 44A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

9.2mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1110 pF @ 15 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.5W (Ta), 27W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

PG-TDSON-8-5

Paquete / Caja

8-PowerTDFN

Número de producto base

BSC0909

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

BSC0909NSATMA1-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

5,000

Otros nombres

BSC0909NSCT

BSC0909NS

BSC0909NSDKR

BSC0909NSATMA1DKR-DGTR-DG

BSC0909NSATMA1DKR

BSC0909NSCT-DG

BSC0909NSDKR-DG

BSC0909NSTR-DG

IFEINFBSC0909NSATMA1

BSC0909NSATMA1TR

SP000832576

BSC0909NSATMA1CT

BSC0909NSTR

BSC0909NSATMA1CT-DGTR-DG

2156-BSC0909NSATMA1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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