BSC0911NDATMA1
Número de Producto del Fabricante:

BSC0911NDATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

BSC0911NDATMA1-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 25V 18A, 30A 1W Surface Mount PG-TISON-8

Inventario:

4859 Pcs Nuevos Originales En Stock
12834514
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

BSC0911NDATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Función FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A, 30A
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600pF @ 12V
Potencia - Máx.
1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TISON-8
Número de producto base
BSC0911

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSC0911NDATMA1DKR
IFEINFBSC0911NDATMA1
2156-BSC0911NDATMA1
BSC0911NDATMA1CT
BSC0911NDATMA1TR
SP000934746

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

AUIRF7304QTR

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC

onsemi

CPH6635-TL-H

MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.4A 6CPH

infineon-technologies

BSC0921NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8