Número de Producto del Fabricante:
BSC22DN20NS3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSC22DN20NS3GATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 7A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventario:
5719 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799050
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BSC22DN20NS3GATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
225mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 13µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
430 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-5
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSC22DN20
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSC22DN20NS3G
BSC22DN20NS3 GDKR-DG
SP000781778
BSC22DN20NS3 GDKR
BSC22DN20NS3GATMA1CT
BSC22DN20NS3 GCT-DG
BSC22DN20NS3GATMA1DKR
BSC22DN20NS3GATMA1TR
BSC22DN20NS3 G-DG
BSC22DN20NS3 GTR-DG
BSC22DN20NS3 GCT
BSC22DN20NS3 G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BTS282ZE3230AKSA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
BSL211SPL6327HTSA1
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
IPA100N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 40A TO220-FP
