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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
BSD235NH6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSD235NH6327XTSA1-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 950mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventario:
82078 Pcs Nuevos Originales En Stock
12838497
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ENVIAR
BSD235NH6327XTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 2
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
950mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
350mOhm @ 950mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 1.6µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.32nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
63pF @ 10V
Potencia - Máx.
500mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT363-PO
Número de producto base
BSD235
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
BSD235NH6327XTSA1
Hoja de datos HTML
BSD235NH6327XTSA1-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSD235N H6327CT-DG
BSD235N H6327CT
BSD235NH6327XTSA1DKR
BSD235N H6327TR-DG
BSD235N H6327DKR-DG
SP000917652
BSD235N H6327DKR
BSD235NH6327XTSA1CT
BSD235NH6327XTSA1TR
BSD235N H6327-DG
BSD235N H6327
BSD235NH6327
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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