Número de Producto del Fabricante:
BSG0810NDIATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSG0810NDIATMA1-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A TISON8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 25V 19A, 39A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
Inventario:
9870 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801876
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ENVIAR
BSG0810NDIATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Función FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A, 39A
rds activados (máx.) @ id, vgs
3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1040pF @ 12V
Potencia - Máx.
2.5W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TISON-8
Número de producto base
BSG0810
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSG0810NDIATMA1-DG
448-BSG0810NDIATMA1TR
SP001241674
448-BSG0810NDIATMA1CT
448-BSG0810NDIATMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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